中晶科技(003026)
生產(chǎn)工藝
Production Process
01
備料
準備一定量比例的多晶硅和摻雜劑，置入單晶爐內(nèi)的石英坩堝中。
02
晶體生長
利用單晶爐將半導體級多晶硅在最高溫度達1500℃的熱場中熔化，然后通過晶體生長拉制成用戶所需的直徑和電學參數(shù)的單晶硅錠。
03
滾圓
將生長的單晶錠經(jīng)過金剛石砂輪的外圓磨削加工，使磨削加工后的硅棒成為具有標準直徑的圓柱體。
06
研磨
利用游星輪將硅片置于雙面研磨機的上下磨盤之間，加入液體研磨料，使硅片隨著磨盤作相對的行星運動，并對硅片分段加壓進行雙面研磨加工，改善片間和片內(nèi)厚度公差提高硅片平整度和平行度。
05
倒角
對切片邊緣輪廓進行金剛石砂輪磨削加工，以減少后續(xù)硅片加工及器件工藝中的碎片不良。
04
切片
將經(jīng)過滾圓工序的硅棒，切割成一定厚度的硅圓片。
07
拋光
利用拋光液對硅片表面的機械研磨和化學腐蝕的雙重作用從而獲得無加工損傷平整（鏡面光滑）的硅片表面。
08
檢驗
按硅片產(chǎn)品標準要求實施質量檢測判定。
09
拋光片
各類規(guī)格的高品質單晶硅片。
12
氧化膜邊緣剝離機
氧化膜邊緣剝離機用于剝離硅片邊緣APCVD工藝生產(chǎn)的氧化膜，消除硅片邊緣氧化膜對外延工藝的影響。
11
LPCVD
LPCVD爐用于硅片背面沉積本征多晶硅（i-poly），多晶硅膜起到吸除硅片內(nèi)部金屬離子的作用。用于增強型外吸雜工藝。
10
APCVD
APCVD爐用于硅片背面沉積低溫氧化膜（LTO），防止硅片外延工藝過程中硅片內(nèi)部的摻雜劑通過背面溢出擴散到硅片正面的外延層中。
核心技術
Core Technology
再投料直拉技術
多次投料、提高設備效能和坩堝利用率、提升摻雜對檔率。
磁場直拉單晶硅技術
可實現(xiàn)低氧含量、低晶格缺陷密度、徑向摻雜均勻的直拉單晶產(chǎn)品。
半導體單晶金剛線多線切割
金剛線多線切割技術，相比于傳統(tǒng)的砂漿切割，切割速度更快、單片耗材更少、單片成本更低，且切片厚度更為均勻，是目前先進的材料加工技術。